低噪声放大器

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工作频率(GHz)

小信号增益(dB)

噪声系数

驻波比(:1)

增益平坦度(dB)

P-1(dBm)

直流电压/电流(V)

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3D模型

M1715A

1.4GHz~18GHz

≥30

≤4.5

≤3.0

≤±2

≥20

12V/500mA

2.4/f

隐藏域元素占位

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M37002A

100KHz~20GHz

≥35

2.5

≤2.0

≤±3

≥15

≤15

2.92(K)/f

隐藏域元素占位

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CLNA0140-1518

10MHz-40GHz

≥28

≤7.0

≤2.5

≤±1.5

22

12V/280mA

2.4/f

隐藏域元素占位

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M18006A

0.5GHz~50GHz

≥23.4

≤6.5

IN VSWR≤2.1
OUT VSWR≤3.4

≤±6@0.5~15G ±2@15~50G

≥11.2

8V/275mA

2.4/f

隐藏域元素占位

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CLNA0167-1514

10MHz-67GHz

20

5

≤2.0

4

11

6V/150mA

1.85/f

隐藏域元素占位

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CLNA0167-1212

10MHz-67GHz

12

5

≤2.0

4

11

6V/80mA

1.85/f

隐藏域元素占位

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低噪声放大器

低噪声放大器基于GaAs、lnP等半导体芯片实现模块级集成，频率范围可覆盖110GHz，增益可达60dB以上，提供极低的噪声系数，可满足您在电子战、雷达、电子对抗、光学应用和仪器仪表、测试测量等应用中的需求。

产品特点

• 低噪声系数，低驻波比

• 宽频，小型化：10MHz~110GHz

• 高增益，低增益平坦度

 

应用领域
• 整机OTA测试 • 天线测试 • 雷达系统 • 无线通信 • 卫星通信

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