Bias-Tee

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规格参数 详情描述

产品型号

工作频率(GHz)

插损(dB)

驻波比(:1)

典型隔离度(dB)

偏置直流电压(V)

偏置直流电流(A)

输入射频功率(dBm)

典型群时延波动(ps)

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3D模型

BT1009A

0.1MHz~100MHz

≤0.35

≤1.4

—

≤2000

≤1.0

≤50W

—

N/f

隐藏域元素占位

BT06HA1900

400MHz~6.0GHZ

≤1.1

≤1.3

20

≤100

≤1.9

≤150W

—

N/f

隐藏域元素占位

BT08HA3000

0.7GHz~8.0GHZ

≤1.3

≤1.5

—

≤100

≤3.0

≤100W

—

N/f

隐藏域元素占位

BT26HV100

100kHz~26.5GHz

≤2.2

≤1.4

40

≤100

≤0.7

≤32dBm

±20

2.92/f
SMA/f

隐藏域元素占位

BT45A-x(x:A/B/C/D)

50kHz~40GHz

≤1.4

≤1.5

40

≤16

≤0.4

≤32

±50

2.92 f/m

隐藏域元素占位

BT45AHV-x(x:A/B/C/D)

100kHz~40GHz

≤1.4

≤1.8

40

≤100

≤0.4

≤32

±50

2.92 f/m

隐藏域元素占位

BT45A-HV100C1-x(x:A/B/C/D)

100kHz~40GHz

≤2.0

≤1.8

30

≤100

≤1.0

≤33

±50

2.92 f/m

隐藏域元素占位

BT67A-x(x:A/B/C/D)

50kHz~67GHz

≤1.75

≤1.8

40

≤16

≤0.4

≤32

±30

1.85 f/m

隐藏域元素占位

BT67HV100-x(x:A/B/C/D)

100kHz~67GHz

≤1.75

≤1.8

40

≤100

≤0.4

≤32

±50

1.85 f/m

隐藏域元素占位

BT110A-x(x:A/B/C/D)

50kHz~110GHz

≤2

≤1.8

—

≤16

≤0.4

≤32

±50

1.0 f/m

隐藏域元素占位

BT110AHV25

50kHz~110GHz

≤2.0

≤1.8

—

≤25

≤0.4

≤32

±50

1.0 f/m

隐藏域元素占位

BT110AHV-x(x:A/B/C/D)

100kHz~110GHz

≤2

≤1.8

—

≤35

≤0.4

≤32

—

1.0 f/m

隐藏域元素占位

BT120A-x(x:A/B/C/D)

50kHz~120GHz

≤3

≤1.8

—

≤16

≤0.4

≤32

—

1.0 f/m

隐藏域元素占位

BT145A-x(x:A/B/C/D)

100kHz~145GHz

≤3.2

≤2.5

—

≤6.3

≤0.2

≤32

±30

0.8 f/m

隐藏域元素占位

< 1 >

Bias-Tee

Bias-Tee即为同轴偏置器,给功率放大器、光电二极管或光学调制器等提供偏置电源,可以阻止直流输入射频端口的同时,保证高速、宽带信号通过。现有同轴偏置器既有超宽带、低损耗型号、又有高功率型号(150W)。主要用于宽带放大器、激光驱动器、光调试驱动、有源天线的偏置供电。

产品特点

• 超宽频带:最宽支持50kHz~170GHz

• 低插损、低驻波

• 大电压:最大支持2000V

• 大功率:最大支持150W射频功率输入

 

应用领域
• 宽带放大器偏置供电    • 光通信,激光驱动器偏置供电    • 光调制驱动偏置供电    • 有源天线偏置供电

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